Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom

Наслов

Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom

Идентификатор

/unibl/sci/idNaucniRad:575

Тип

Пронађите сличне уносеConference Paper
Пронађите сличне уносеtext

Датум

Пронађите сличне уносе2004

Библиографски цитат

T. Pešić, N. Janković, Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom, pp. 24 - 27, 2004

Почетна страница

24

Крајња страница

27

Презентовано

Simpozijum Industrijska elektronika - INDEL

Веза

Пронађите сличне уносеЕлектротехнички факултет

Листа аутора

Пронађите сличне уносеТатјана Пешић-Брђанин
Пронађите сличне уносеНебојша Јанковић

Position: 98450 (20 views)