Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom

Naslov

Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom

Identifikator

/unibl/sci/idNaucniRad:575

Tip

Datum

Bibliografski citat

T. Pešić, N. Janković, Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom, pp. 24 - 27, 2004

Početna stranica

24

Krajnja stranica

27

Prezentovano

Simpozijum Industrijska elektronika - INDEL

Veza

Lista autora

Position: 98536 (20 views)