Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom
Naslov
Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom
Identifikator
/unibl/sci/idNaucniRad:575
Tip
Pronađite slične unoseConference Paper
Datum
Bibliografski citat
T. Pešić, N. Janković, Fizički baziran ne-kvazi-stacionarni model potpuno osiromašenog SOI MOSFET-a sa dvostrukim gejtom, pp. 24 - 27, 2004
Početna stranica
24
Krajnja stranica
27
Prezentovano
Simpozijum Industrijska elektronika - INDEL
Position: 98536 (20 views)