Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation
Наслов
Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation
Идентификатор
/unibl/sci/idNaucniRad:549
Тип
Пронађите сличне уносеConference Paper
Датум
Библиографски цитат
T. Pešić, N. Janković, J. Karamarković, Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation, pp. 187 - 190, 2002
Почетна страница
187
Крајња страница
190
Презентовано
IV International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM
Листа аутора
Position: 67514 (30 views)