Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation
Наслов
                                Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation            
                            Идентификатор
                                /unibl/sci/idNaucniRad:549            
                            Тип
                                Пронађите сличне уносеConference Paper            
                                                        
                            Датум
Библиографски цитат
                                T. Pešić, N. Janković, J. Karamarković, Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation, pp. 187 - 190, 2002            
                            Почетна страница
                                187            
                            Крајња страница
                                190            
                            Презентовано
                                IV International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM            
                            Листа аутора
Position: 54222 (112 views)
