Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET

Наслов

Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET

Идентификатор

/unibl/sci/idNaucniRad:535

Тип

Пронађите сличне уносеAcademic Article
Пронађите сличне уносеtext

Датум

Пронађите сличне уносе2005

Библиографски цитат

N. Janković, T. Pešić, Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET, SOLID-STATE ELECTRONICS, Vol. 49, pp. 1086 - 1089, 2005

Почетна страница

1086

Крајња страница

1089

Је дио

Пронађите сличне уносеSOLID-STATE ELECTRONICS
Пронађите сличне уносе0038-1101

Листа аутора

Пронађите сличне уносеНебојша Јанковић
Пронађите сличне уносеТатјана Пешић-Брђанин

Веза

Пронађите сличне уносеЕлектротехнички факултет

Position: 32818 (36 views)