Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET
Наслов
Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET
Идентификатор
/unibl/sci/idNaucniRad:535
Тип
Пронађите сличне уносеAcademic Article
Датум
Библиографски цитат
N. Janković, T. Pešić, Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET, SOLID-STATE ELECTRONICS, Vol. 49, pp. 1086 - 1089, 2005
Почетна страница
1086
Крајња страница
1089
Је дио
Пронађите сличне уносеSOLID-STATE ELECTRONICS
Пронађите сличне уносе0038-1101
Position: 30435 (38 views)