Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET

Naslov

Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET

Identifikator

/unibl/sci/idNaucniRad:535

Tip

Pronađite slične unoseAcademic Article
Pronađite slične unosetext

Datum

Pronađite slične unose2005

Bibliografski citat

N. Janković, T. Pešić, Non-Quasi-Static Physics Based Circuit Model of Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET, SOLID-STATE ELECTRONICS, Vol. 49, pp. 1086 - 1089, 2005

Početna stranica

1086

Krajnja stranica

1089

Je dio

SOLID-STATE ELECTRONICS
0038-1101

Lista autora

Pronađite slične unoseNebojša Janković
Pronađite slične unoseTatjana Pešić-Brđanin

Veza

Pronađite slične unoseElektrotehnički fakultet

Position: 28465 (130 views)