Sub-circuit model of fully-depleted double-gae FinFET including the effects of oxide and interface trapped charge

Наслов

Sub-circuit model of fully-depleted double-gae FinFET including the effects of oxide and interface trapped charge

Идентификатор

/unibl/sci/idNaucniRad:20378

Тип

Пронађите сличне уносеConference Paper
Пронађите сличне уносеtext

Датум

Пронађите сличне уносе2016-09

Библиографски цитат

T. Pešić-Brđanin, N. Janković, Sub-circuit model of fully-depleted double-gae FinFET including the effects of oxide and interface trapped charge, Proceedings of IEEE Region 8 EuroCon Conference, pp. 273 - 276, Sep, 2016

Почетна страница

273

Крајња страница

276

Презентовано

IEEE Region 8 EuroCon Conference

Је дио

Пронађите сличне уносеProceedings of IEEE Region 8 EuroCon Conference

Веза

Пронађите сличне уносеЕлектротехнички факултет

Листа аутора

Пронађите сличне уносеТатјана Пешић-Брђанин
Пронађите сличне уносеNebojša Janković

Position: 62900 (24 views)