An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors

Наслов

An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors

Идентификатор

/unibl/sci/idNaucniRad:539

Тип

Пронађите сличне уносеAcademic Article
Пронађите сличне уносеtext

Датум

Пронађите сличне уносе2001

Библиографски цитат

T. Pešić, N. Janković, An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors, MICROELECTRONICS JOURNAL, Vol. 32, No. 9, pp. 713 - 718, 2001

Почетна страница

713

Крајња страница

718

Је дио

Пронађите сличне уносеMICROELECTRONICS JOURNAL
Пронађите сличне уносе0026-2692

Веза

Пронађите сличне уносеЕлектротехнички факултет

Листа аутора

Пронађите сличне уносеТатјана Пешић-Брђанин
Пронађите сличне уносеНебојша Јанковић

Position: 40687 (28 views)