An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors

Naslov

An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors

Identifikator

/unibl/sci/idNaucniRad:539

Tip

Pronađite slične unoseAcademic Article
Pronađite slične unosetext

Datum

Pronađite slične unose2001

Bibliografski citat

T. Pešić, N. Janković, An Analytical Model of the Inverse Base Width Modulation Effect in SiGe Graded Heterojunction Bipolar Transistors, MICROELECTRONICS JOURNAL, Vol. 32, No. 9, pp. 713 - 718, 2001

Početna stranica

713

Krajnja stranica

718

Je dio

MICROELECTRONICS JOURNAL
0026-2692

Veza

Pronađite slične unoseElektrotehnički fakultet

Lista autora

Pronađite slične unoseTatjana Pešić-Brđanin
Pronađite slične unoseNebojša Janković

Position: 37561 (35 views)